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2021
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在国家大力支持半导体产业发展的背景下，中国半导体存储基地于2016年开始建设。随着半导体行业的快速发展，我国存储芯片的应用场景不断扩大。目前，我国存储芯片在各个领域的应用正处于发展的初级阶段，能够成熟相关存储芯片产品应用的企业数量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市场被韩国、日本、美国企业所占据。 1、中国存储芯行业起步较晚，技术基础薄弱 中国的存储芯片发展较晚。2016年之前，行业几乎没有产能，存储芯片极度依赖进口。面对外资企业在存储芯片行业的垄断优势，中国近年来开始大举投资存储芯片行业。经过几年的发展，逐渐取得了一些成绩。 目前，中国大陆地区企业在相关领域的市场份额仍然较低，通过国家政府层面的大规模投资，有机会快速切入相关领域，是芯片国产化的可靠而重要的一步。 存储芯片行业是一个技术密集型行业。中国存储芯片行业起步较晚，缺乏积累的技术经验。虽然我国本土的企业已经逐步完善了NAND和DRAM行业的布局，但每一款存储芯片产品还处于生产初期，尚未实现量产。与国外存储芯片厂商相比，我国存储芯片技术基础薄弱，是制约行业发展的主要因素。 以3DNAND存储器为例，三星、海力士通过不断开发创新，改进数据存储单元结构，增加单元存储容量，开发生产了176层3DNAND。国内于2020年推出128层QLC 3D NAND闪存。可以看出，与国外领先的3D NAND...